李凤艳
,
王鹏
,
袁亚东
,
杨雅君
,
钱浏滢
合成材料老化与应用
利用十水硫酸钠作为相变储热体系的主体成分，加入一定量的氯化钠，可以适当降低体系的相变温度，达到更适合人类使用的27℃左右的室温范围。同时针对十水硫酸钠的相分离、过冷问题，加入一定量的增稠剂和成核剂，使相变储热体系更加稳定。用DSC法测定了该储热体系的相变温度和相变焓，最终确定了相变焓较高、相变温度在室温范围内的以十水硫酸钠为主体成分的相变储热体系的最佳配方。
关键词:
相变材料
,
十水硫酸钠
,
相变温度
,
相变潜热
吴春勇
,
吴从跃
,
王啸
,
谢春生
机械工程材料
在铜铝镍合金的基础上,通过添加锰和硼元素制备了新型五元铜铝镍形状记忆合金,并对其在不同温度下进行淬火处理,研究了淬火温度对组织、相结构、硬度、电阻率以及相变温度的影响.结果表明:不同温度淬火后合金的组织均为M18R结构的马氏体;随着淬火温度的升高,马氏体板条变得更宽、更平直,合金的硬度变化不大,合金的电阻率先下降后升高,并在700℃达到最低值,合金的相变温度先下降后升高,并且800℃淬火后达到最高.
关键词:
铜铝镍形状记忆合金
,
淬火温度
,
相变温度
,
硬度
,
电阻率
孙超
,
王兵
,
朱强
,
熊德智
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.04.011
利用一维光学驻波场产生的相位光栅对静磁阱中相变温度以上超冷原子气体的一阶相干性质进行研究.理论计算了热原子的干涉图样,实验获得了相变温度以上超冷原子气体的干涉图样.通过比较理论和实验原子气体干涉图样的对比度发现:当超冷原子气体温度非常接近相变温度时,原子气体的相干性明显好于热原子的相干性;随着温度的升高,原子气体的相干性逐渐减弱,最终与热原子的相干性完全相同.
关键词:
量子光学
,
一阶空间相干性
,
对比度
,
相变温度
李云龙
,
付花睿
,
张霄
,
周广迪
,
游才印
,
沈乾龙
金属功能材料
doi:10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016081
采用直流反应磁控溅射法在不同氧分压气氛下制备了氧化钒薄膜,并进行后续真空退火处理.分别利用X-射线衍射仪,扫描电子显微镜和综合物性仪分析薄膜的相成分、表面形貌以及电性能.结果表明:随着氧分压的增加,450℃退火1h的薄膜逐渐由非晶态转变为VO2(M),VO2(M,B)和V6O13的混合结构,并且晶化程度逐渐提高.氧分压6.67％的薄膜相转变温度(TMST)接近52℃,SEM分析表明,微裂纹的存在为相转变时应力释放提供空间,降低了TMST.氧分压10％的薄膜具有-2.38 ％/K的电阻温度系数(TCR)值和1.67×104 Ω的室温电阻值,满足制备非致冷红外探测器的要求.
关键词:
氧化钒薄膜
,
相转变温度
,
电阻温度系数(TCR)
,
磁控溅射
吴冠洁
,
邓安猛
,
蔡帅
,
汪振海
,
罗来慧
,
陈红兵
人工晶体学报
按照0.624Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.336PbTiO3-0.04PbZrO3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出PMN-PT-PZ多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×90 mm的PMN-PT-PZ单晶.应用X射线衍射对所获多晶和单晶试样进行了物相分析,测试了PMN-PT-PZ晶片的介电温谱、电滞回线和压电常数.结果表明,所得三元固溶体单晶PMN-PT-PZ为不含焦绿石相的纯钙钛矿相结构,其三方-四方相变温度Trt达130℃,居里温度Tc为165～ 170℃,取自单晶原坯三方相区段的(001)取向晶片的压电常数d33在1300～ 1800 pC/N之间;其矫顽电场Ec为4～ 4.5 kV/cm,剩余极化强度Pr为20 ～ 31.5μC/cm2.跟PMN-PT单晶比较,PMN-PT-PZ单晶仍具有较大压电常数d33,而三方-四方相变温度明显提高,其矫顽电场有所增大.
关键词:
弛豫铁电单晶
,
PMN-PT-PZ
,
坩埚下降法
,
相变温度
,
电学性能
